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  • 4路質子混氣管式PECVD系統為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD), 內爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設備的加熱效率,同時也可以延長儀器的使用壽命。
  • 1200℃小型磁力滑動管式爐是一款靠磁鐵推動坩堝移動的管式爐。其爐管直徑為50mm,*高工作溫度為1200℃。本公司設計此款管式爐主要是為了在各種氣氛環境下用蒸發性沉積方法(DVD)來制取2維薄膜,或對材料進行快速熱處理。
  • 5”管徑12”L開啟式管式爐是一款開啟式單溫區管式爐,加熱區長300mm,*大管徑5",30段程序控溫,K型熱偶測溫。主要用于定制立式爐模塊。
  • OTF-1200X-R-Ⅱ雙溫區回轉爐是專為在燒結無機化合物時獲得較好的一致性而設計,特別適合制備鋰離子電池帶導電涂層的負極材料,例如LiFePO3和LiMnNiO3等材料。用戶可根據所要燒制的材料選擇在真空下或氣氛保護下進行燒制。 我公司供應的產品符合國家有關環保法律法規的規定(含采購商ISO14000環境體系要求),不會造成環境污染; 該產品符**購商OHSMS18
  • OTF-1200X-R單溫區回轉爐主要用于鋰離子電池等正負極材料、無強酸堿性粉體材料、顆粒狀物料的實驗室煅燒及干燥,用戶可根據所要燒制的材料選擇在真空下或氣氛保護下進行燒制。 我公司供應的產品符合國家有關環保法律法規的規定(含采購商ISO14000環境體系要求),不會造成環境污染; 該產品符**購商OHSMS18000職業安全健康管理體系標準的要求,不會對接觸產品的人員
  • OTF-1200X-VF開啟式立式管式爐,配有石英管和真空密封法蘭系統,可以在流動氣氛和真空狀態下快速加熱和淬火樣品。精密的控溫儀升降溫,控溫精度±1℃。安裝在可移動支架上方便移動。 我公司供應的產品符合國家有關環保法律法規的規定(含采購商ISO14000環境體系要求),不會造成環境污染; 該產品符**購商OHSMS18000職業安全健康管理體系標準的要求,不會對
  • OTF-1200X- Ⅲ三溫區高溫管式爐主要應用于高等院校、科研院所、工礦企業等實驗和小批量生產之用。主要用于電子陶瓷產品的預燒、燒結、鍍膜、高溫熱解低溫沉積(CVD)工藝等。 我公司供應的產品符合國家有關環保法律法規的規定(含采購商ISO14000環境體系要求),不會造成環境污染; 該產品符**購商OHSMS18000職業安全健康管理體系標準的要求,不會對接觸產
  • OTF-1200X- Ⅱ雙溫區管式爐主要應用于高等院校、科研院所、工礦企業等實驗和小批量生產之用。主要用于電子陶瓷產品的預燒、燒結、鍍膜、高溫熱解低溫沉積(CVD)工藝等。 我公司供應的產品符合國家有關環保法律法規的規定(含采購商ISO14000環境體系要求),不會造成環境污染; 該產品符**購商OHSMS18000職業安全健康管理體系標準的要求,不會對接觸產品的
  • 采用雙層風冷結構,爐體表面溫度≤60℃. 爐膛采用高純度氧化鋁微晶纖維高溫真空吸附成型. 進口加熱電阻絲程序鑲嵌延長爐體使用壽命. 2只莫來石絕熱管塞,用來阻止紅外輻射降低兩端密封法蘭的溫度. (設備使用前必須安裝絕熱管塞) 石英管塞(另購件) 可提高爐管內部的潔凈度和真空度 工作電壓: 單相 AC 208 - 240V, 50/60Hz *高溫度: 1200℃ (使用時必須通入惰性氣
  • OTF-1200X-5L is split 5" dia. x 55"L single-zone tube furnace which can achieve faster heating up to 1100°C. The furnace includes one 5" (125 mm) O.D fused quartz tube, one pair of vacuum sealing fla
  • 立式真空小管式爐外型美觀大方,結構為保溫層兩半開啟式,集控制系統與爐膛為一體,可在垂直和水平等多個工位下工作。它是專為高等院校﹑科研院所的實驗室及工礦企業在可控多種氣氛及真空狀態下對金屬,非金屬及其它化合物進行燒結﹑熔化﹑分析而研制的專用理想設備。 我公司供應的產品符合國家有關環保法律法規的規定(含采購商ISO14000環境體系要求),不會造成環境污染; 該產品符**購
  • OTF-1200X-S真空小管式爐外型美觀大方,結構為保溫層兩半開啟式,集控制系統與爐膛為一體。它是專為高等院校﹑科研院所的實驗室及工礦企業在可控多種氣氛及真空狀態下對金屬,非金屬及其它化合物進行燒結﹑熔化﹑分析而研制的專用理想設備。 我公司供應的產品符合國家有關環保法律法規的規定(含采購商ISO14000環境體系要求),不會造成環境污染; 該產品符**購商OHSMS1
  • 真空管式爐 VBF-1200X-H8在美國通過CE認證,其水平位置帶有一個外口徑200mm深度340mm的石英內膽,在真空或各種氣氛下溫度可達到1100℃,可對6〞以下的半導體晶片進行煅燒或低溫退火。該爐體表面溫度低、升降溫速率快、節能等優點,比一般的真空箱式爐更潔凈,真空度能達到更高,是高等院校、科研院所的實驗室、工礦企業對金屬、非金屬及其它化合物材料進行燒結、融化、分析而研制的的理想設備。
  • 五溫區1200℃開啟式真空管式爐 OTF-1200X-V主要應用于高等院校、科研院所、工礦企業等實驗和小批量生產之用。 五溫區1200℃開啟式真空管式爐 OTF-1200X-V主要用于電子陶瓷產品的預燒、燒結、鍍膜、高溫熱解低溫沉積(CVD)工藝等。
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